刻蝕鍍膜儀庫(kù)存庫(kù)號(hào)：M398493 刻蝕鍍膜儀庫(kù)存庫(kù)號(hào)：M398493
刻蝕鍍膜儀 型號(hào): PECS II 685.M庫(kù)號(hào)：M398493 刻蝕鍍膜儀 PECS II 型號(hào) 685 刻蝕鍍膜儀 (PECS™)II 是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設(shè) 備。 對(duì)于同一個(gè)樣品，可在同一真空環(huán)境下完成拋光及鍍膜. PECS II 是一款獨(dú)立、結(jié)構(gòu)緊湊的臺(tái)式設(shè) 備。采用兩個(gè)寬 束氬離子源對(duì)樣品表面進(jìn)行拋光， 去除損傷層，從而得到高 質(zhì)量樣品，用于在 SEM， 光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成 像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。 PECS II 采用 WhisperLok®技術(shù)，可選 配溫控液氮冷卻臺(tái)。該 功能有助于避免拋光過(guò)程 中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié) 構(gòu)變化。. PECS II內(nèi)置了一個(gè) 10 英寸的觸摸屏。無(wú)論新手還是級(jí)用戶， 都可提高樣品的加工可控性 及可重復(fù)性。數(shù)碼變焦顯微鏡配合 DigitalMicrograph® 軟件，可實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品加工過(guò)程的實(shí)時(shí) 監(jiān)控及 儲(chǔ)存彩色照片，這便于在SEM中進(jìn)行樣品檢查和分析。 主要應(yīng)用 • 半導(dǎo)體 • 金屬（氧化物，合金） • 陶瓷 • 自然資源 技術(shù)規(guī)格 PECS II 系統(tǒng) 離子源 離子槍 兩個(gè)配有稀土磁鐵的潘寧離子槍 拋光角度 0 到18° 每支離子槍可獨(dú)立調(diào)節(jié) 離子束能量 (kV) 0.1 – 8.0 離子束流密度峰值(mA/cm2) 10 拋光速率 (µm/h) 300（對(duì)于硅試樣） 離子束直徑 可用氣體流量計(jì)或放電電壓來(lái)調(diào)節(jié) 樣品臺(tái) 樣品大小(長(zhǎng) * 寬 * 高, mm) 32 x*15 轉(zhuǎn)速 (rpm) 1 – 6 離子束調(diào)制 角度范圍可調(diào)的單向調(diào)制或雙向調(diào)制 樣品觀察 數(shù)碼變焦顯微鏡，配有 PC 及 DigitalMicrograph 軟件（選配件） 真空系統(tǒng) 干泵系統(tǒng) 兩級(jí)隔膜泵支持 80 L/s的渦輪分子泵 壓力 (torr) 基本壓力 5 x 10-6 工作壓力 8 x 10-5 真空規(guī) 冷陰極型，用于主樣品室；固體型， 用 于 前級(jí)機(jī)械泵 樣品氣鎖 WhisperLok技術(shù)，樣品交換時(shí) 間小于1 分鐘 用戶界面 10 英寸彩色觸摸屏 操作簡(jiǎn)單，且能夠控制所有參數(shù) 和配方式操作 尺寸及使用要求 外形尺寸 (長(zhǎng) x*寬 * 高, mm) 575 *495 * 615 運(yùn)輸重量(kg) 45 功耗 (W) 運(yùn)行時(shí) 待 200 機(jī)時(shí) 100 電源要求 通用 100 – 240 VAC，50/60 Hz（用 戶電壓和頻率） 氬氣(psi) 25 注：以上技術(shù)規(guī)格如有變化將不另行通知 訂購(gòu)型號(hào) 型號(hào) 描述 685 Cold (685.C) 帶有冷臺(tái)的 PECS II 685 Pro (685.O) 帶有冷臺(tái)和數(shù)字成像顯微系統(tǒng)的 PECS II 685 Advantage (685.A) 帶有冷臺(tái)、數(shù)字成像顯微系統(tǒng)和馬達(dá) 驅(qū)動(dòng)離子槍系統(tǒng)的 PECS II 685 Met Etch (685.M) PECS II 基本版,不帶濺射沉積 685 ProTransfer (685.OV) 帶有真空轉(zhuǎn)移裝置的 PECS II Pro 系 統(tǒng) 685 AdvantageTransfer (685.AV) 帶有真空轉(zhuǎn)移裝置的 PECS II Advantage 系統(tǒng) 注：關(guān)于配件和耗材的詳細(xì)情況，請(qǐng)咨詢當(dāng)?shù)氐匿N(xiāo)售代表。
|
點(diǎn)擊放大會(huì)員_a.png)