臺(tái)式硅酸根分析儀 庫(kù)存 庫(kù)號(hào)：D183834
臺(tái)式硅酸根分析儀 庫(kù)存 庫(kù)號(hào)：D183834 臺(tái)式硅酸根分析儀/數(shù)顯硅酸根分析儀/二氧化硅分析儀/硅表/光電比色硅酸根分析儀/硅酸根比色計(jì)/實(shí)驗(yàn)室硅酸根分析儀 型號(hào):XN84GXF-215C庫(kù)號(hào)：D183834
技術(shù)參數(shù) 測(cè)量范圍 0~199.9μg/LSiO2 基本誤差≤±2.5%FS 重復(fù)性誤差≤±0.5%FS 短期漂移（30分鐘） ： ≤±0.5%FS 長(zhǎng)期漂移(24小時(shí)） ： ≤±2.5%FS 化學(xué)方法 ：硅鉬蘭光度法GB 12150—89 技術(shù)參數(shù) 測(cè)量范圍 0~199.9μg/LSiO2 基本誤差≤±2.5%FS 重復(fù)性誤差≤±0.5%FS 短期漂移（30分鐘） ： ≤±0.5%FS 長(zhǎng)期漂移(24小時(shí)） ： ≤±2.5%FS 化學(xué)方法 ：硅鉬蘭光度法GB 12150—89 技術(shù)參數(shù) 測(cè)量范圍 0~199.9μg/LSiO2 基本誤差≤±2.5%FS 重復(fù)性誤差≤±0.5%FS 短期漂移（30分鐘） ： ≤±0.5%FS 長(zhǎng)期漂移(24小時(shí)） ： ≤±2.5%FS 化學(xué)方法 ：硅鉬蘭光度法GB 12150—89 技術(shù)參數(shù) 測(cè)量范圍 0~199.9μg/LSiO2 基本誤差≤±2.5%FS 重復(fù)性誤差≤±0.5%FS 短期漂移（30分鐘） ： ≤±0.5%FS 長(zhǎng)期漂移(24小時(shí)） ： ≤±2.5%FS 化學(xué)方法 ：硅鉬蘭光度法GB 12150—89
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