(LQS）半導體分力器件測試儀 型號:WY425-CS2935庫號：M398111(LQS）半導體分力器件測試儀 型號:WY425-CS2935庫號：M398111(LQS）半導體分力器件測試儀 型號:WY425-CS2935庫號：M398111 半導體分力器件測試儀型號:WY425-CS2935 庫號：M398111 查看hh
半導體分立器件測試儀CS2935
一、產(chǎn)品特點：
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復性和*性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由操控，測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點測試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實際測試應用中各項指標均可達到器件手冊指標及國標要求。
二、測試參數(shù)
1． 二極管
VF、IR、BVR
2． 穩(wěn)壓（齊納）二極管
VF、IR、BV Z
3． 晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶閘管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 場效應管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV
被測器件圖形
三、測試參數(shù)范圍
晶體管
測試參數(shù)
測試范圍
ICEO
ICBO
IEBO
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
VBE(sat)
0.10V-30V
VBE(VBE(on))
0.10V-30V
hFE
1－99999
V(BR)EBO
0.10V-30V
V(BR)CEO
V(BR)CBO
0. 10V-50V
50V-1499V
二極管
測試參數(shù)
測試范圍
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
V(BR)
1V-50V
50V-1499V
穩(wěn)壓二極管
測試參數(shù)
測試范圍
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
VZ
0.10V-50V
三端穩(wěn)壓器
測試參數(shù)
測試范圍
VO
0.10V-30V
SV
0.10mV-1V
ID
1uA-10mA
IDV
1uA-10mA
MOSFET
測試參數(shù)
測試范圍
VGS(th)
0.10V-30V
gfs
0.1mS-1000S
RDS(on)
10mΩ-100KΩ
VDS(on)
0.10V-50V
IGSS
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
IDSS
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
ID(on)
0-50A
V(BR)GSS
0.1V-30V
V(BR)DSS
0.1V-1499V
光耦
測試參數(shù)
測試范圍
VF
0.10V-30V
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
0.10V-50V
CTR
0.1%-1000%
ICEO
與IR參數(shù)相同
V(BR)ECO V(BR)CEO
0.10V-50V
50V-1499V
可控硅
測試參數(shù)
測試范圍
IGT
10uA-200mA
VGT
0.10V-30V
IH
10uA-1A
IL
10uA-1A
VTM
0.10V-50V
四、指標
1、源的指標
主極壓流源 (VA)
電壓：
設(shè)定范圍（V）
度
±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~50)
±(73.2mV+0.5%set)
電流：
測量范圍
度
±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A（脈沖）
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A（脈沖）
±(244mA+0.5%set)
壓流源 (VB)
電壓：
設(shè)定范圍（V）
度
±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~30)
±(43.8mV+0.5%set)
電流：
測量范圍
度
±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A（脈沖）
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A（脈沖）
±(244mA+0.5%set)
高壓源（HV）
設(shè)定范圍（V）
度
0~1500
±(1.22V+1%set)
*1500V時zui大輸出為5mA。
2、電壓表的指標
測漏電流
測量范圍
度
±(0~200)nA
±(2.44nA+0.5% Rdg)
±(0.2-2)uA
±(24.4nA+0.5% Rdg)
±(2-20)uA
±(244nA+0.5% Rdg)
±(20~200) uA
±(2.44uA+0.5% Rdg)
±(0.2~2)mA
±(24.4uA+0.5% Rdg)
±(2-20)mA
±(244uA+0.5% Rdg)
測試電壓
設(shè)定范圍（V）
度
±(0~10)
±(3mV+0.5% Rdg)
±(10~50)
±(15mV+0.5% Rdg)
測擊穿電壓
設(shè)定范圍（V）
度
（0~50）V/10mA
±(36.6mV+0.25% Rdg)
（50~1500）V/1mA
±(610.3mV+1% Rdg)
放大倍數(shù)
設(shè)定范圍（V）
度
1~9999
1%
|
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